IRC540PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRC540PBF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 77 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 630 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.077 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220-5
Búsqueda de reemplazo de IRC540PBF MOSFET
IRC540PBF Datasheet (PDF)
Otros transistores... INK0200AC1 , INK0210AC1 , INK0210AP1 , INK021AAP1 , INK0302AC1 , INK0310AP1 , IVN5001ANE , IRC530PBF , 2SK3568 , IRC630PBF , IRC634PBF , IRC640PBF , IRC644PBF , IRC730PBF , IRC740PBF , IRC830PBF , IRC840PBF .
History: CMUDM7004 | AP9575GI-HF | 2SK3521-01S | HPD160N06STA | GSM3411 | UP9971L-D08-T | IPS075N03L
History: CMUDM7004 | AP9575GI-HF | 2SK3521-01S | HPD160N06STA | GSM3411 | UP9971L-D08-T | IPS075N03L



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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