IRC540PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRC540PBF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 77 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 630 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.077 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220-5
Búsqueda de reemplazo de IRC540PBF MOSFET
IRC540PBF Datasheet (PDF)
Otros transistores... INK0200AC1 , INK0210AC1 , INK0210AP1 , INK021AAP1 , INK0302AC1 , INK0310AP1 , IVN5001ANE , IRC530PBF , 2SK3568 , IRC630PBF , IRC634PBF , IRC640PBF , IRC644PBF , IRC730PBF , IRC740PBF , IRC830PBF , IRC840PBF .
History: FTD02N70 | SD214DE | HFW10N60S | STP24N65M2 | BSN304 | TMPF7N90 | SFB087N80C2
History: FTD02N70 | SD214DE | HFW10N60S | STP24N65M2 | BSN304 | TMPF7N90 | SFB087N80C2



Liste
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