IRC644PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRC644PBF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 37 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220-5
Búsqueda de reemplazo de IRC644PBF MOSFET
IRC644PBF Datasheet (PDF)
Otros transistores... INK0302AC1 , INK0310AP1 , IVN5001ANE , IRC530PBF , IRC540PBF , IRC630PBF , IRC634PBF , IRC640PBF , TK10A60D , IRC730PBF , IRC740PBF , IRC830PBF , IRC840PBF , IRCZ24 , IRCZ24PBF , IRCZ34 , ISL9N302AP3 .
History: STF16N50M2 | HM180N02 | FTK7N65P | NCE0117 | 2SK3676-01L | 2SJ103 | ZXMN6A08KTC
History: STF16N50M2 | HM180N02 | FTK7N65P | NCE0117 | 2SK3676-01L | 2SJ103 | ZXMN6A08KTC



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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