NDFP03N150C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NDFP03N150C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 32 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 10.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de NDFP03N150C MOSFET
NDFP03N150C Datasheet (PDF)
ndfp03n150c ndfp03n150cg.pdf

Ordering number : ENA2232 NDFP03N150C N-Channel Power MOSFEThttp://onsemi.com 1500V, 2.5A, 10.5, TO-220F-3FS Features On-resistance RDS(on)=8(typ.) Input Capacitance Ciss=650pF(typ.) 10V drive Specifications TO-220F-3FSAbsolute Maximum Ratings at Ta = 25C Parameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain to Source Voltage VDSS 1500 V Gate to Source Vo
Otros transistores... NDD03N40Z , NDD03N80Z , NDD60N360U1 , NDD60N550U1 , NDD60N745U1 , NDD60N900U1 , NDDL01N60Z , NDDP010N25AZ , 10N65 , NDFP03N150CG , NDFPD1N150C , NDFPD1N150CG , NDP410AE , NDP410B , NDP410BE , NDP605A , NDP605B .
History: IPA80R600P7 | HY3408 | FDD45AN06LA0 | NDP608AE | BLM4953 | IPA80R360P7 | APT5010B2LL
History: IPA80R600P7 | HY3408 | FDD45AN06LA0 | NDP608AE | BLM4953 | IPA80R360P7 | APT5010B2LL



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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