NDP606A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NDP606A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 48 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 620 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
Encapsulados: TO-220AB
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NDP606A datasheet
ndp6060l ndb6060l.pdf
April 1996 NDP6060L / NDB6060L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features 48A, 60V. RDS(ON) = 0.025 @ VGS = 5V. These logic level N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's Low drive requirements allowing operation directly from logic proprietary, high cell density, DMOS technology. This
ndp6060 ndb6060.pdf
March 1996 NDP6060 / NDB6060 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 48A, 60V. RDS(ON) = 0.025 @ VGS=10V. transistors are produced using Fairchild's proprietary, high Critical DC electrical parameters specified at elevated cell density, DMOS technology. This very high density temperature.
ndp6060l ndb6060l.pdf
NDP6060L / NDB6060L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Features General Description 48A, 60V. RDS(ON) = 0.025 @ VGS = 5V. Low drive requirements allowing operation directly from logic These logic level N-Channel enhancement mode power drivers. VGS(TH)
Otros transistores... NDFP03N150CG, NDFPD1N150C, NDFPD1N150CG, NDP410AE, NDP410B, NDP410BE, NDP605A, NDP605B, 18N50, NDP606B, NDP608AE, NDP608B, NDP608BE, NDP610AE, NDP610B, NDP610BE, NDP708AE
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Liste
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