NDP710BE Todos los transistores

 

NDP710BE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NDP710BE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 111 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 550 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.042 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

 Búsqueda de reemplazo de NDP710BE MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

NDP710BE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:58K  fairchild semi
 ndb710ae ndb710b ndb710be ndp710ae ndp710b ndp710be.pdf pdf_icon

NDP710BE

May 1994 NDP710A / NDP710AE / NDP710B / NDP710BENDB710A / NDB710AE / NDB710B / NDB710BEN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description FeaturesThese N-channel enhancement mode power field42 and 40A, 100V. RDS(ON) = 0.038 and 0.042. effect transistors are produced using Fairchild'sCritical DC electrical parameters specified atproprietary, high cell den

Otros transistores... NDP610AE , NDP610B , NDP610BE , NDP708AE , NDP708B , NDP708BE , NDP710AE , NDP710B , NCEP15T14 , NDPL070N10B , NDPL070N10BG , NDPL100N10B , NDPL100N10BG , NDPL180N10B , NDPL180N10BG , NDS335N , NDS336P .

History: STB15N80K5 | 2N6661M1A | STP7NK30Z | 24N50C | KNF6165A | SML20L100F

 

 
Back to Top

 


 
.