NDUL09N150C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NDUL09N150C
   Código: 09N150C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 114 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 222 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3PF

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NDUL09N150C

NDUL09N150C Datasheet (PDF)

..1. Size:560K onsemi
ndul09n150c ndul09n150cg.pdf

NDUL09N150C Power MOSFET www.onsemi.com 1500V, 3.0, 9A, N-Channel Features Electrical Connection Low On-Resistance High Speed Switching N-Channel Ultra High Voltage 100% Avalanche Tested Pb-Free and RoHS Compliance Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta = 25C Parameter Symbol Value UnitDrain to Source Voltage VDSS 1500 VGate to Source

9.1. Size:262K onsemi
ndul03n150c.pdf

Ordering number : ENA2218NDUL03N150CN-Channel Power MOSFEThttp://onsemi.com1500V, 2.5A, 10.5 , TO-3PF-3LFeatures ON-resistance RDS(on)=8 (typ.) Input capacitance Ciss=650pF (typ.) 10V driveTO-3PF-3LSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain to Source Voltage VDSS 1500 VGate to Source Voltage VGSS

9.2. Size:173K onsemi
ndul03n150c ndul03n150cg.pdf

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: