NDUL09N150CG Todos los transistores

 

NDUL09N150CG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NDUL09N150CG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 222 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3PF
 

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NDUL09N150CG Datasheet (PDF)

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NDUL09N150CG

NDUL09N150C Power MOSFET www.onsemi.com 1500V, 3.0, 9A, N-Channel Features Electrical Connection Low On-Resistance High Speed Switching N-Channel Ultra High Voltage 100% Avalanche Tested Pb-Free and RoHS Compliance Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta = 25C Parameter Symbol Value UnitDrain to Source Voltage VDSS 1500 VGate to Source

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NDUL09N150CG

Ordering number : ENA2218NDUL03N150CN-Channel Power MOSFEThttp://onsemi.com1500V, 2.5A, 10.5 , TO-3PF-3LFeatures ON-resistance RDS(on)=8 (typ.) Input capacitance Ciss=650pF (typ.) 10V driveTO-3PF-3LSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain to Source Voltage VDSS 1500 VGate to Source Voltage VGSS

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NDUL09N150CG

Ordering number : ENA2218NDUL03N150CN-Channel Power MOSFEThttp://onsemi.com1500V, 2.5A, 10.5 , TO-3PF-3LFeatures ON-resistance RDS(on)=8 (typ.) Input capacitance Ciss=650pF (typ.) 10V driveTO-3PF-3LSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain to Source Voltage VDSS 1500 VGate to Source Voltage VGSS

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History: NTMYS1D2N04CL | SFG15R25GF | IRF7342PBF | SIS888DN | TMAN10N80 | SI7302DN | SSM95T07GP

 

 
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