NP45N06VUK Todos los transistores

 

NP45N06VUK MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NP45N06VUK
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 30 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 155 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0096 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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NP45N06VUK Datasheet (PDF)

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NP45N06VUK

Preliminary Data Sheet NP45N06VUK, NP45N06PUK R07DS0953EJ010060 V 45 A N-channel Power MOS FET Rev.1.00Application: Automotive Nov 20, 2012Description These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. Features Super low on-state resistance RDS(on) = 9.6 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 23 A) Low Ciss: Ci

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History: IRL2203NSPBF | IRFB3307 | SWF8N80K

 

 
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