IXFP36N20X3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXFP36N20X3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 170 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 21 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 280 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFP36N20X3
IXFP36N20X3 Datasheet (PDF)
ixfy36n20x3 ixfa36n20x3 ixfp36n20x3.pdf
VDSS = 200VX3-Class HiPERFETTM IXFY36N20X3ID25 = 36APower MOSFETIXFA36N20X3 RDS(on) 45m IXFP36N20X3N-Channel Enhancement ModeTO-252 (IXFY)G SD (Tab)TO-263 (IXFA)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 200 VGSVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 200 VD (Tab)VGSS Continuous 20 VTO-220
ixfp36n20x3m.pdf
Preliminary Technical InformationX3-Class HiPerFETTM VDSS = 200VIXFP36N20X3MPower MOSFET ID25 = 36A RDS(on) 45m (Electrically Isolated Tab)OVERMOLDEDTO-220N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum RatingsGIsolated TabDVDSS TJ = 25C to 150C 200 V SVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 200 VG = Gate D =
ixfp36n20x3m.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IXFP36N20X3MFEATURESWith TO-220F packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBO
ixfa36n30p3 ixfp36n30p3.pdf
Preliminary Technical InformationPolar3 TM HiPerFETTM VDSS = 300VIXFA36N30P3Power MOSFET ID25 = 36AIXFP36N30P3 RDS(on) 110m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierTO-263AA (IXFA)GSSymbol Test Conditions Maximum RatingsD (Tab)VDSS TJ = 25C to 150C 300 VTO-220AB (IXFP)VDGR TJ = 25C to 150
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Liste
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