IXFP36N20X3 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

IXFP36N20X3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFP36N20X3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 170 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 280 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm

Encapsulados: TO-220

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IXFP36N20X3 datasheet

..1. Size:310K ixys
ixfy36n20x3 ixfa36n20x3 ixfp36n20x3.pdf pdf_icon

VDSS = 200V X3-Class HiPERFETTM IXFY36N20X3 ID25 = 36A Power MOSFET IXFA36N20X3 RDS(on) 45m IXFP36N20X3 N-Channel Enhancement Mode TO-252 (IXFY) G S D (Tab) TO-263 (IXFA) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 200 V G S VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 200 V D (Tab) VGSS Continuous 20 V TO-220

0.1. Size:184K ixys
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Preliminary Technical Information X3-Class HiPerFETTM VDSS = 200V IXFP36N20X3M Power MOSFET ID25 = 36A RDS(on) 45m (Electrically Isolated Tab) OVERMOLDED TO-220 N-Channel Enhancement Mode Symbol Test Conditions Maximum Ratings G Isolated Tab D VDSS TJ = 25 C to 150 C 200 V S VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 200 V G = Gate D =

0.2. Size:254K inchange semiconductor
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isc N-Channel MOSFET Transistor IXFP36N20X3M FEATURES With TO-220F packaging High speed switching Low gate input resistance Standard level gate drive Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBO

7.1. Size:155K ixys
ixfa36n30p3 ixfp36n30p3.pdf pdf_icon

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