VN1204N5 Todos los transistores

 

VN1204N5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VN1204N5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.4 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
     - Selección de transistores por parámetros

 

VN1204N5 Datasheet (PDF)

 7.1. Size:145K  supertex
 vn1206n1-n2-n5 vn1204n1-n2-n5 vn1210n1-n2-n5.pdf pdf_icon

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 9.1. Size:544K  supertex
 vn1206.pdf pdf_icon

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 9.2. Size:756K  fuji
 7mbr75vn120-50.pdf pdf_icon

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 9.3. Size:426K  fuji
 7mbr50vn120-50.pdf pdf_icon

VN1204N5

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/7MBR50VN120-50 IGBT ModulesIGBT MODULE (V series)1200V / 50A / PIMFeaturesLow V (sat)CECompact PackageP.C.Board Mount ModuleConverter Diode Bridge Dynamic Brake CircuitRoHS compliant productApplicationsInverter for Motor DriveAC and DC Servo Drive AmplifierUninterruptible Power SupplyMaximum Ratings and Characteris

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History: FQB85N06TMAM002

 

 
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