NP75N04YUK MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NP75N04YUK

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 138 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 480 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0033 Ohm

Encapsulados: HSON

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NP75N04YUK datasheet

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NP75N04YUK

Preliminary Data Sheet NP75N04YUK R07DS1004EJ0100 40 V 75 A N-channel Power MOS FET Rev.1.00 Application Automotive Feb 08, 2013 Description The NP75N04YUK is N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. Features Super low on-state resistance RDS(on) = 3.3 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 38 A) Non logic level drive typ

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NP75N04YUK

Preliminary Data Sheet NP75N04YUG R07DS0018EJ0100 Rev.1.00 MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Jul 01, 2010 Description The NP75N04YUG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS(on) = 4.8 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 37.5 A) Low Ciss Ciss = 4300 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) Designe

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NP75N04YUK

Preliminary Data Sheet NP75N04VDK R07DS1015EJ0100 40 V 75 A N-channel Power MOS FET Rev.1.00 Application Automotive Feb 21, 2013 Description The NP75N04VDK is N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. Features Super low on-state resistance RDS(on) = 5.7 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 38 A) Low Ciss Ciss = 1630 pF

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NP75N04YUK

Preliminary Data Sheet NP75N04VUK R07DS0954EJ0100 40 V 75 A N-channel Power MOS FET Rev.1.00 Application Automotive Nov 20, 2012 Description The NP75N04VUK is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Super low on-state resistance RDS(on) = 5.7 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 38 A) Low Ciss Ciss = 1630 pF T

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