NP90N04MUH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NP90N04MUH
   Código: 90N04UH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 230 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 90 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0041 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NP90N04MUH

NP90N04MUH Datasheet (PDF)

..1. Size:353K renesas
np90n04muh np90n04nuh np90n04puh.pdf

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

5.1. Size:103K renesas
np90n04muk np90n04nuk.pdf

Preliminary Data Sheet NP90N04MUK, NP90N04NUK R07DS0601EJ0100Rev.1.00MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Jan 11, 2012Description These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. Features Super low on-state resistance RDS(on) = 2.8 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 45 A) Low Ciss: Ciss = 4700 pF TYP. (VDS = 25 V) Des

5.2. Size:320K renesas
np90n04mug.pdf