CEP7030L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CEP7030L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 65 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 210 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1011 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de CEP7030L MOSFET
CEP7030L Datasheet (PDF)
Otros transistores... TP4812NR , TP9435PR , 4N60CB , AON6786 , AON6790 , AP9918H , AP9918J , CEB7030L , AO3400A , CSD30N55 , DMT10N60 , DMF10N60 , DMK10N60 , DMG10N60 , H06N60U , JCS4N60VB , JCS4N60RB .
History: SVSP60R090LHD4TR | TDM3307A | SUP60N06-12P | IRLU9343-701 | SUP40N10-30 | RD70HVF1 | RQJ0602EGDQS
History: SVSP60R090LHD4TR | TDM3307A | SUP60N06-12P | IRLU9343-701 | SUP40N10-30 | RD70HVF1 | RQJ0602EGDQS
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
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