FTP50N20R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FTP50N20R
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 250 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 200 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 50 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 49.4 nC
Tiempo de subida (tr): 38.9 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 394 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.051 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
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FTP50N20R Datasheet (PDF)
ftp50n20r.pdf
FTP50N20R N-Channel MOSFET Lead Free Package and Finish Applications: Adaptor VDSS RDS(ON)(Typ.) ID Charger SMPS 200V 42m 50A Features: RoHS Compliant Low ON Resistance Low Gate Charge Peak Current vs Pulse Width Curve Inductive Switching Curves Ordering Information PART NUMBER PACKAGE BRAND FTP50N20R TO-220 IPS Absolute M
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