SVF4N60CAF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVF4N60CAF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F-3L
Búsqueda de reemplazo de SVF4N60CAF MOSFET
SVF4N60CAF datasheet
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SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJ_Datasheet 4A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJ is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM high-voltage planar VDMOS technology. The improved process and cell structure have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switc
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SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJ 4A 600V N SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJ N MOS F-CellTM VDMOS
svf4n60cafj.pdf
SVF4N60CAFJ 4A 600V N 2 SVF4N60CAFJ N MOS 1 F-CellTM VDMOS 3 1. 2.
Otros transistores... MMD65R600QRH , MT3245 , NCE0117K , NTMFS4C55N , SI9953DY , STP110N7F6 , SUP85N03-07P , SUB85N03-07P , 8205A , SVF4N60CAK , SVF4N60CAD , SVF4N60CAT , SVF4N60CAMN , SVF4N60CAMJ , UTC7N65L , WFP75N08 , IPU105N03LG .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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