7N80L-TQ2-T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 7N80L-TQ2-T
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 142 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 800 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 7 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 27 nC
Tiempo de subida (tr): 100 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 120 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.9 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-263
Búsqueda de reemplazo de MOSFET 7N80L-TQ2-T
7N80L-TQ2-T Datasheet (PDF)
7n80l-ta3-t 7n80g-ta3-t 7n80l-tf3-t 7n80g-tf3-t 7n80l-tf1-t 7n80g-tf1-t 7n80l-tf2-t 7n80g-tf2-t 7n80l-tf3t-t 7n80g-tf3t-t 7n80l-tq2-t 7n80g-tq2-t 7n80l-tq2-r 7n80g-tq2-r.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 7N80 Power MOSFET 7.0A, 800V N-CHANNEL POWER MOSFET 11TO-220 TO-220F DESCRIPTION The UTC 7N80 is a N-channel mode power MOSFET usingUTCs advanced technology to provide customers with planar stripe and DMOS technology. This technology specializes in 11allowing a minimum on-state resistance and superior switching TO-220F1 TO-220F2pe
7n80l-t 7n80g-t.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 7N80 Preliminary Power MOSFET 7.0 Amps, 800 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 1 DESCRIPTION TO-220The UTC 7N80 is an N-channel mode power MOSFET usingUTCs advanced technology to provide costomers with planar stripe and DMOS technology. This technology specializes in allowing a minimum on-state resistance and superior switching performance. Ita
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