7N80G-TQ2-T Todos los transistores

 

7N80G-TQ2-T MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 7N80G-TQ2-T

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 142 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.9 Ohm

Encapsulados: TO-263

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7N80G-TQ2-T datasheet

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 7n80l-ta3-t 7n80g-ta3-t 7n80l-tf3-t 7n80g-tf3-t 7n80l-tf1-t 7n80g-tf1-t 7n80l-tf2-t 7n80g-tf2-t 7n80l-tf3t-t 7n80g-tf3t-t 7n80l-tq2-t 7n80g-tq2-t 7n80l-tq2-r 7n80g-tq2-r.pdf pdf_icon

7N80G-TQ2-T

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 7N80 Power MOSFET 7.0A, 800V N-CHANNEL POWER MOSFET 1 1 TO-220 TO-220F DESCRIPTION The UTC 7N80 is a N-channel mode power MOSFET using UTC s advanced technology to provide customers with planar stripe and DMOS technology. This technology specializes in 1 1 allowing a minimum on-state resistance and superior switching TO-220F1 TO-220F2 pe

 7.1. Size:173K  1
 7n80l-t 7n80g-t.pdf pdf_icon

7N80G-TQ2-T

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 7N80 Preliminary Power MOSFET 7.0 Amps, 800 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 1 DESCRIPTION TO-220 The UTC 7N80 is an N-channel mode power MOSFET using UTC s advanced technology to provide costomers with planar stripe and DMOS technology. This technology specializes in allowing a minimum on-state resistance and superior switching performance. It a

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History: STD13N50DM2AG | IRF7379I | SI4947ADY | SIR422DP-T1-GE3 | SUD50P06-15L-GE3 | BRCS4266SC

 

 

 

 

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