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12N65KG-TQ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 12N65KG-TQ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 225 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 125 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 175 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.75 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

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12N65KG-TQ datasheet

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12N65KG-TQ

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 12N65K-MT Power MOSFET 12A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 12N65K-MT are N-Channel enhancement mode power field effect transistors (MOSFET) which are produced by using UTC s proprietary, planar stripe and DMOS technology. These devices are suited for high efficiency switch mode power supply. To minimize on-state resistance,

 5.1. Size:298K  1
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12N65KG-TQ

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 12N65K-MT Power MOSFET 12A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 12N65K-MT are N-Channel enhancement mode power field effect transistors (MOSFET) which are produced by using UTC s proprietary, planar stripe and DMOS technology. These devices are suited for high efficiency switch mode power supply. To minimize on-state resistance,

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12N65KG-TQ

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12N65KG-TQ

isc N-Channel MOSFET Transistor 12N65KL-TF1-T FEATURES Static Drain-Source On-Resistance R

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History: IXUV170N075 | VHM40-06P1

 

 

 


 
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