MC6414 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MC6414
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.092 Ohm
Paquete / Cubierta: TSOP6
Búsqueda de reemplazo de MC6414 MOSFET
MC6414 Datasheet (PDF)
ao6414 mc6414.pdf

FreescaleAO6414/ MC6414N-Channel 60-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)92 @ VGS = 10V3.4 Low thermal impedance 60107 @ VGS = 4.5V3.1 Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAX
Otros transistores... MT3203 , SVF5N60T , SVF5N60F , SVF5N60D , SVF5N60MJ , TSP5N60M , TSF5N60M , AO6414 , STP80NF70 , CMP40P03 , CSD40N70 , FQPF20N60 , FQP20N60 , FTD06N03NA , GPT18N50GN3P , GPT18N50GN247 , GPT18N50DGN220FP .
History: SIRA96DP | SFP080N100AC2 | 2SJ296S | D12N06 | IRFR110A | 2SK3070 | SIR640DP
History: SIRA96DP | SFP080N100AC2 | 2SJ296S | D12N06 | IRFR110A | 2SK3070 | SIR640DP



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
irfb4321 | 2n333 | c3852 | irfp140 | ksc2383 datasheet | 2n3906 equivalent | a733 transistor equivalent | 2n5401 transistor datasheet