HY3410PS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HY3410PS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 285 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 140 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 130 nC
Tiempo de subida (tr): 39 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 943 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0075 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3PS
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HY3410PS Datasheet (PDF)
hy3410p hy3410m hy3410b hy3410ps hy3410pm hy3410mf.pdf
HY3410P/M/B/PS/PM/MFN-Channel Enhancement Mode MOSFETPin DescriptionFeatures 100V/140ASRDS(ON)= 6.2 m(typ.) @ VGS=10VDGSD 100% avalanche testedGSDG Reliable and RuggedTO-220FB-3L TO-220FB-3S TO-263-2L Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)SDGSSpplicationsDA DGGTO-3PS-3L TO-3PM-3STO-220MF-3LSw
hy3410.pdf
HY3410P/M/B/PS/PM/MFAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating Unit Common Ratings (TC=25C Unless Otherwise Noted) VDSS Drain-Source Voltage 100 V VGSS Gate-Source Voltage 25 TJ Maximum Junction Temperature 175 C TSTG Storage Temperature Range -55 to 175 C IS Diode Continuous Forward Current TC=25C 140 A Mounted on Large Heat Sink IDM Pulsed Drain Current *
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
