HY3410PM Todos los transistores

 

HY3410PM MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HY3410PM

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 285 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 140 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 39 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 943 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm

Encapsulados: TO3PS

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HY3410PM datasheet

 ..1. Size:1363K  hymexa
 hy3410p hy3410m hy3410b hy3410ps hy3410pm hy3410mf.pdf pdf_icon

HY3410PM

HY3410P/M/B/PS/PM/MF N-Channel Enhancement Mode MOSFET Pin Description F eatures 100V/140A S RDS(ON)= 6.2 m (typ.) @ VGS=10V D G S D 100% avalanche tested G S D G Reliable and Rugged TO-220FB-3L TO-220FB-3S TO-263-2L Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) S D G S S pplications D A D G G TO-3PS-3L TO-3PM-3S TO-220MF-3L Sw

 8.1. Size:1041K  1
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HY3410PM

HY3410P/M/B/PS/PM/MF Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Unit Common Ratings (TC=25 C Unless Otherwise Noted) VDSS Drain-Source Voltage 100 V VGSS Gate-Source Voltage 25 TJ Maximum Junction Temperature 175 C TSTG Storage Temperature Range -55 to 175 C IS Diode Continuous Forward Current TC=25 C 140 A Mounted on Large Heat Sink IDM Pulsed Drain Current *

Otros transistores... DG4N65-TO262 , HY3403D , HY3403U , HY3403V , HY3410P , HY3410M , HY3410B , HY3410PS , EMB04N03H , HY3410MF , JCS3910V , JCS3910R , MMD65R900QRH , S68N08R , S68N08S , SVF10N65F , SVF10N65T .

History: RF4E110BN | RUE002N02

 

 

 

 

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