HY3410PM Todos los transistores

 

HY3410PM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HY3410PM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 285 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 140 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 39 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 943 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3PS
 

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HY3410PM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1363K  hymexa
 hy3410p hy3410m hy3410b hy3410ps hy3410pm hy3410mf.pdf pdf_icon

HY3410PM

HY3410P/M/B/PS/PM/MFN-Channel Enhancement Mode MOSFETPin DescriptionFeatures 100V/140ASRDS(ON)= 6.2 m(typ.) @ VGS=10VDGSD 100% avalanche testedGSDG Reliable and RuggedTO-220FB-3L TO-220FB-3S TO-263-2L Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)SDGSSpplicationsDA DGGTO-3PS-3L TO-3PM-3STO-220MF-3LSw

 8.1. Size:1041K  1
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HY3410PM

HY3410P/M/B/PS/PM/MFAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating Unit Common Ratings (TC=25C Unless Otherwise Noted) VDSS Drain-Source Voltage 100 V VGSS Gate-Source Voltage 25 TJ Maximum Junction Temperature 175 C TSTG Storage Temperature Range -55 to 175 C IS Diode Continuous Forward Current TC=25C 140 A Mounted on Large Heat Sink IDM Pulsed Drain Current *

Otros transistores... DG4N65-TO262 , HY3403D , HY3403U , HY3403V , HY3410P , HY3410M , HY3410B , HY3410PS , 2SK3918 , HY3410MF , JCS3910V , JCS3910R , MMD65R900QRH , S68N08R , S68N08S , SVF10N65F , SVF10N65T .

History: RFD16N06LE | TK22A65X5 | WMK16N10T1 | P2402CAG | NCE0202ZA | SML1004RAN | SST65R600S2E

 

 
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