JCS3910V Todos los transistores

 

JCS3910V MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JCS3910V
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 79 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 31 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 164 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.115 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

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JCS3910V Datasheet (PDF)

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JCS3910V

N RN-CHANNEL MOSFET JCS3910 Package MAIN CHARACTERISTICS ID 16A VDSS 100 V Rdson-max 115 m @Vgs=10V Qg-typ 18.9 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge

 ..2. Size:698K  jilin sino
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JCS3910V

N RN-CHANNEL MOSFET JCS3910 Package MAIN CHARACTERISTICS ID 16A VDSS 100 V Rdson-max 115 m @Vgs=10V Qg-typ 18.9 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge

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JCS3910V

N R N-CHANNEL MOSFET JCS3910 Package MAIN CHARACTERISTICS ID 16A VDSS 100 V Rdson-max 115 m @Vgs=10V Qg-typ 18.9 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge

Otros transistores... HY3403U , HY3403V , HY3410P , HY3410M , HY3410B , HY3410PS , HY3410PM , HY3410MF , 2N7002 , JCS3910R , MMD65R900QRH , S68N08R , S68N08S , SVF10N65F , SVF10N65T , STD448S , CRTS084NE6N .

History: WMS10N04TS | IPL65R1K0C6S | MMD80R1K2QZRH | OSG90R1K2AF | SI2312BDS-T1 | KO3400

 

 
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