S68N08S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: S68N08S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 176 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 68 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 80 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 388 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0072 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET S68N08S

S68N08S Datasheet (PDF)

..1. Size:536K 1
s68n08r s68n08s.pdf

SI-TECH SEMICONDUCTOR CO.,LTD S68N08R/S N-Channel MOSFET Features 68V, 80A,Rds(on)(typ)=6.5m @Vgs=10V High Ruggedness Fast Switching 100% Avalanche Tested Improved dv/dt Capability General Description This Power MOSFET is produced using Si-Techs advanced Trench MOS Technology. This latest technology has been especially designed to minimize on-st

..2. Size:2298K cn si-tech
s68n08r s68n08s s68n08rn s68n08rp.pdf

S68N08R/S/RN/RP SI-TECH SEMICONDUCTOR CO.,LTD N-Channel Power MOSFETFeatures Applications VDS=68V,ID=82A DC Motor Control Rds(on)(typ)=6.5m@Vgs=10V DC-DC Converters 100% Avalanche Tested BMS 100% Rg Tested SMPS Lead-Free (RoHS Compliant) Automotive Environment Internal Circuit and Pin Description DDGG G GG D DD

8.1. Size:2283K cn si-tech
s68n08zr s68n08zs s68n08zrn s68n08zrp.pdf

S68N08ZR/S/RN/RP SI-TECH SEMICONDUCTOR CO.,LTD N-Channel Power MOSFETFeatures Applications VDS=68V,ID=80A DC Motor Control Rds(on)(typ)=6.8m@Vgs=10V DC-DC Converters 100% Avalanche Tested BMS 100% Rg Tested SMPS Lead-Free (RoHS Compliant) Automotive Environment Internal Circuit and Pin Description DDGG G GG D DD

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: