S68N08S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: S68N08S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 176 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 68 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 80 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 80 nC
   Tiempo de subida (tr): 25 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 388 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0072 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET S68N08S

S68N08S Datasheet (PDF)

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SI-TECH SEMICONDUCTOR CO.,LTD S68N08R/S N-Channel MOSFET Features 68V, 80A,Rds(on)(typ)=6.5m @Vgs=10V High Ruggedness Fast Switching 100% Avalanche Tested Improved dv/dt Capability General Description This Power MOSFET is produced using Si-Techs advanced Trench MOS Technology. This latest technology has been especially designed to minimize on-st

..2. Size:2298K cn si-tech
s68n08r s68n08s s68n08rn s68n08rp.pdf

S68N08R/S/RN/RP SI-TECH SEMICONDUCTOR CO.,LTD N-Channel Power MOSFETFeatures Applications VDS=68V,ID=82A DC Motor Control Rds(on)(typ)=6.5m@Vgs=10V DC-DC Converters 100% Avalanche Tested BMS 100% Rg Tested SMPS Lead-Free (RoHS Compliant) Automotive Environment Internal Circuit and Pin Description DDGG G GG D DD

8.1. Size:2283K cn si-tech
s68n08zr s68n08zs s68n08zrn s68n08zrp.pdf

S68N08ZR/S/RN/RP SI-TECH SEMICONDUCTOR CO.,LTD N-Channel Power MOSFETFeatures Applications VDS=68V,ID=80A DC Motor Control Rds(on)(typ)=6.8m@Vgs=10V DC-DC Converters 100% Avalanche Tested BMS 100% Rg Tested SMPS Lead-Free (RoHS Compliant) Automotive Environment Internal Circuit and Pin Description DDGG G GG D DD

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Liste

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