S68N08S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: S68N08S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 176 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 68 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 388 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0072 Ohm
Encapsulados: TO263
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S68N08S datasheet
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SI-TECH SEMICONDUCTOR CO.,LTD S68N08R/S N-Channel MOSFET Features 68V, 80A,Rds(on)(typ)=6.5m @Vgs=10V High Ruggedness Fast Switching 100% Avalanche Tested Improved dv/dt Capability General Description This Power MOSFET is produced using Si-Tech s advanced Trench MOS Technology. This latest technology has been especially designed to minimize on-st
s68n08r s68n08s s68n08rn s68n08rp.pdf
S68N08R/S/RN/RP SI-TECH SEMICONDUCTOR CO.,LTD N-Channel Power MOSFET Features Applications VDS=68V,ID=82A DC Motor Control Rds(on)(typ)=6.5m @Vgs=10V DC-DC Converters 100% Avalanche Tested BMS 100% Rg Tested SMPS Lead-Free (RoHS Compliant) Automotive Environment Internal Circuit and Pin Description D D G G G G G D D D
s68n08zr s68n08zs s68n08zrn s68n08zrp.pdf
S68N08ZR/S/RN/RP SI-TECH SEMICONDUCTOR CO.,LTD N-Channel Power MOSFET Features Applications VDS=68V,ID=80A DC Motor Control Rds(on)(typ)=6.8m @Vgs=10V DC-DC Converters 100% Avalanche Tested BMS 100% Rg Tested SMPS Lead-Free (RoHS Compliant) Automotive Environment Internal Circuit and Pin Description D D G G G G G D D D
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