2SK1748 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK1748
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2SK1748
2SK1748 Datasheet (PDF)
2sk1746.pdf
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2sk1740.pdf
Ordering number:EN4112N-Channel Junction Silicon FET2SK1740HF amplifiers low frequency amplifiersanalog switchesFeatures Package Dimensions Adoption of FBET process.unit:mm Largeyfs.2050A Small Ciss.[2SK1740] Small-sized package permitting 2SK1740-applied0.40.16sets to be made small and slim.30 to 0.11 0.95 20.951.92.91 : Source2 :
2sk1745.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1745DESCRIPTIONDrain Current I =18A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 500V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplies, converters and power motor controlsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-So
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Liste
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