SSP60N05 Todos los transistores

 

SSP60N05 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSP60N05

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 190 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 50 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 60 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4 V

Carga de compuerta (Qg): 120 nC

Tiempo de elevación (tr): 10 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1020 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.018 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
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