SSP60N05 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSP60N05
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 190 W
Tensión drenaje-fuente |Vds|: 50 V
Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 60 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de compuerta (Qg): 120 nC
Tiempo de elevación (tr): 10 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1020 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.018 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO220
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SSP60N05 Datasheet (PDF)
0.1. ssp60n05 ssp60n06.pdf Size:273K _1
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