SVF740F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVF740F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 44 W
Tensión drenaje-fuente |Vds|: 400 V
Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 10 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de compuerta (Qg): 16.18 nC
Tiempo de elevación (tr): 38.6 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 118.5 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.6 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO220F
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SVF740F Datasheet (PDF)
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SVF740T/F_Datasheet 10A, 400V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF740T/F is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-cellTM structure VDMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching
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