R6006KND3 Todos los transistores

 

R6006KND3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: R6006KND3

Código: R6006K

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 70 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 5.5 V

Carga de compuerta (Qg): 12 nC

Tiempo de elevación (tr): 22 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 350 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.83 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO252

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R6006KND3 Datasheet (PDF)

0.1. r6006knd3.pdf Size:1525K _1

R6006KND3
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R6006KND3DatasheetNch 600V 6A Power MOSFETlOutlinel TO-252VDSS 600VRDS(on)(Max.) 830mID 6APD 70W lFeaturesllInner circuitl1) Low on-resistance2) Ultra fast switching speed3) Parallel use is easy4) Pb-free plating ; RoHS compliantlApplicationllPackaging specificationslSwitching Packing

0.2. r6006knd3.pdf Size:266K _inchange_semiconductor

R6006KND3
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isc N-Channel MOSFET Transistor R6006KND3FEATURESDrain Current I =6A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 830m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpos

 7.1. r6006knx.pdf Size:1568K _1

R6006KND3
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R6006KNXDatasheetNch 600V 6A Power MOSFETlOutlinel TO-220FMVDSS 600VRDS(on)(Max.) 0.83ID 6APD 40W lFeaturesllInner circuitl1) Low on-resistance2) Ultra fast switching speed3) Parallel use is easy4) Pb-free plating ; RoHS compliantlApplicationllPackaging specificationslSwitching Packing

7.2. r6006knx.pdf Size:252K _inchange_semiconductor

R6006KND3
R6006KND3

isc N-Channel MOSFET Transistor R6006KNXFEATURESDrain Current I =6A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 830m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose

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