SML7516DFN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SML7516DFN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 830 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 750 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 47 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 13000 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm
Encapsulados: FPACK
Búsqueda de reemplazo de SML7516DFN MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
SML7516DFN datasheet
sml75hb06.pdf
SML75HB06 Attributes -aerospace build standard -high reliability -lightweight -metal matrix base plate -AlN isolation Maximum rated values/ Electrical Properties Collector-emitter Voltage 600 V Vces DC Collector Current Tc=75C Ic, nom 75 A Tc=25C Ic 100 Repetitive peak Collector Cur- tp=1msec,Tc=75C Icrm 150 A rent Total PowerDissipation Tc=25C Ptot 260 W Gate-emit
Otros transistores... SML60J35, SML60J62, SML60L38, SML60M90BFN, SML60S16, SML60S18, SML60T38, SML60W32, AON7410, SML8016DFN, SML801R2AN, SML801R2BN, SML801R2CN, SML801R4AN, SML801R4BN, SML801R4CN, SML802R4AN
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
Popular searches
bd140 datasheet | tip2955 | tip35 | 2sk117 | irf9540n datasheet | ss8050 | irfp4668 | mpsa56
