STE24NA100 Todos los transistores

 

STE24NA100 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STE24NA100
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 450 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.385 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOTOP
     - Selección de transistores por parámetros

 

STE24NA100 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:92K  1
ste24na100.pdf pdf_icon

STE24NA100

STE24NA100 N - CHANNEL 1000V - 0.35 - 24A - ISOTOPFAST POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTE24NA100 1000 V

 ..2. Size:92K  st
ste24na100.pdf pdf_icon

STE24NA100

STE24NA100 N - CHANNEL 1000V - 0.35 - 24A - ISOTOPFAST POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTE24NA100 1000 V

 8.1. Size:25K  1
ste24n90 ste36n50-da ste36n50-dk ste38n60 ste38na50 ste45n50 ste50n40 ste90n25.pdf pdf_icon

STE24NA100

TRANSISTORSPOWER MODULESBIPOLAR IN ISOTOPFor other conf.VCEO VCEV IC Ptot VCE (sat) @IC / IB ts* tf*Conf. Type(V) (V) (A) (W) (V) (A) (A) (s) (s)D ESM2012DV 125 150 120 175 2 100 1 0.9 0.15A BUT30V 125 200 100 250 1.5 100 10 1.0 0.1B BUT230V 125 200 200 300 1.9 200 20 1.0 0.1A BUT32V 300 400 80 250 1.9 40 4 1.9 0.12D ESM2030DV 300 400 67 150 2.2 56 1.6 2.0 0.35B BUT2

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: IRFR120TR | 4N65KG-T60-K | MRF5003 | AONS36316 | RQK0608BQDQS | STP5N62K3

 

 
Back to Top

 


 
.