ATM7002KNSA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ATM7002KNSA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
- Selección de transistores por parámetros
ATM7002KNSA Datasheet (PDF)
atm7002knsa.pdf

ATM7002KNSAN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorDrain-Source Voltage:60V Continuous Drain Current:300mAFEATURES Low on resistance RDS(ON) Low gate threshold voltage Low input capacitance 3 ESD protected up to 2KV12SOT-23 1.Gate 2.Source 3.DrainDrainGateSourceABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25 )aParameter Symbol Value UnitDrain-Sour
atm7002nsa.pdf

ATM7002NSA N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Drain-Source Voltage: 60V Drain Current: 340mA Features Trench Power MV MOSFET technology Voltage controlled small signal switch Low input Capacitance Fast Switching Speed Low Input / Output Leakage R
Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: HM12N20D | FDP52N20 | P06P03LDG | HUFA76423S3ST | STB7NK80Z | NCE65TF099F
History: HM12N20D | FDP52N20 | P06P03LDG | HUFA76423S3ST | STB7NK80Z | NCE65TF099F



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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