ATM7002NSA Todos los transistores

 

ATM7002NSA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ATM7002NSA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.34 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 11 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm

Encapsulados: SOT23

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ATM7002NSA datasheet

 ..1. Size:826K  agertech
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ATM7002NSA

ATM7002NSA N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Drain-Source Voltage 60V Drain Current 340mA Features Trench Power MV MOSFET technology Voltage controlled small signal switch Low input Capacitance Fast Switching Speed Low Input / Output Leakage R

 7.1. Size:1840K  agertech
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ATM7002NSA

ATM7002KNSA N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Drain-Source Voltage 60V Continuous Drain Current 300mA FEATURES Low on resistance R DS(ON) Low gate threshold voltage Low input capacitance 3 ESD protected up to 2KV 1 2 SOT-23 1.Gate 2.Source 3.Drain Drain Gate Source ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25 ) a Parameter Symbol Value Unit Drain-Sour

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History: TMP3N50Z | B1M160120HC | ME2612

 

 

 

 

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