ATM7002NSA Todos los transistores

 

ATM7002NSA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ATM7002NSA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.34 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 11 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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ATM7002NSA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:826K  agertech
 atm7002nsa.pdf pdf_icon

ATM7002NSA

ATM7002NSA N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Drain-Source Voltage: 60V Drain Current: 340mA Features Trench Power MV MOSFET technology Voltage controlled small signal switch Low input Capacitance Fast Switching Speed Low Input / Output Leakage R

 7.1. Size:1840K  agertech
 atm7002knsa.pdf pdf_icon

ATM7002NSA

ATM7002KNSAN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorDrain-Source Voltage:60V Continuous Drain Current:300mAFEATURES Low on resistance RDS(ON) Low gate threshold voltage Low input capacitance 3 ESD protected up to 2KV12SOT-23 1.Gate 2.Source 3.DrainDrainGateSourceABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25 )aParameter Symbol Value UnitDrain-Sour

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History: AP0403GM-HF | MMIX1F360N15T2 | NCE50NF600I | BUK9Y4R4-40E | STD3NK90ZT4 | 2N6917 | FQD12N20LTM

 

 
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