ATM7430NDH Todos los transistores

 

ATM7430NDH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ATM7430NDH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 21.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 145 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3030
 

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ATM7430NDH Datasheet (PDF)

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ATM7430NDH

ATM7430NDHN-Channel Fast Switching MOSFETDrain-Source Voltage: 30V Continuous Drain Current: 10.5ADescriptionDFN3030This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistanceand yet maintain superior switching performance, making it ideal forhigh efficiency power management applications.Features Low RDS(ON) ensures on state losses are minimized Small form fa

 9.1. Size:778K  agertech
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ATM7430NDH

ATM7414NDHN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorDrain-Source Voltage: 30V Drain Current: 18ADescriptionexcellentThe ATM7414NDH uses advanced trench technology to provideRDS(ON),low gate charge and operation with gatevoltages as low as 4.5V.Thisdevice is suitable for use as a load switch or in PWM applications. StandardProduct ATM7414NDH is Pb-free.Features V

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History: BSC150N03LD | SVSP14N60FD2 | AO4268 | STM9435 | FDME1023PZT | STF6N95K5

 

 
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