AO6385 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AO6385
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de AO6385 MOSFET
AO6385 Datasheet (PDF)
ao6385.pdf

P-Channel MOSFET AO6385SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETSSOT-23 FEATURE TrenchFET Power MOSFET APPLICATIONS 1. GATE 2. SOURCE Load Switch for Portable Devices 3. DRAIN DC/DC Converter MARKING: 6 38 5Maximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted) Characteristic Symbol Rate Unit Drain-Source VoltageBV -60 VDSS
Otros transistores... C3M0065100K , C3M0120090D , C3M0120090J , 2N7002ED , 2N7002ET , 2N7002EW , AD50N06S , AD90N03S , STP65NF06 , AS0130KA , AS2003M , AS2101W , AS2102W , AS2300 , AS2301 , AS2302 , AS2303 .
History: MS12N60 | KF5N50FZ | SIL2322A | FHP1906A | MCT04N10 | IRFIBC30GPBF | RU30120R
History: MS12N60 | KF5N50FZ | SIL2322A | FHP1906A | MCT04N10 | IRFIBC30GPBF | RU30120R



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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