AS2102W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AS2102W
   Código: TS2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 0.2 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 8 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 2.1 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.2 V
   Carga de la puerta (Qg): 4 nC
   Tiempo de subida (tr): 55 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 120 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.068 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT323

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AS2102W

AS2102W Datasheet (PDF)

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AS2102W N-Channel Enhancement Mode MOSFETProduct Summary V(BR)DSS RDS(on)MAX ID 68m@4.5V 20V 2.1A 115m@2.5V Feature Application Advanced trench process technology Load Switch for Portable Devices High density cell design for ultra low on-resistance DC/DC Converter Package Circuit diagram SOT-323 Marking TS2 Document ID Issued Date Revised Date Revision Page.

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as2101w.pdf

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