AS2102W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AS2102W
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.068 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT323
Búsqueda de reemplazo de AS2102W MOSFET
AS2102W Datasheet (PDF)
as2102w.pdf

AS2102W N-Channel Enhancement Mode MOSFETProduct Summary V(BR)DSS RDS(on)MAX ID 68m@4.5V 20V 2.1A 115m@2.5V Feature Application Advanced trench process technology Load Switch for Portable Devices High density cell design for ultra low on-resistance DC/DC Converter Package Circuit diagram SOT-323 Marking TS2 Document ID Issued Date Revised Date Revision Page.
Otros transistores... 2N7002ET , 2N7002EW , AD50N06S , AD90N03S , AO6385 , AS0130KA , AS2003M , AS2101W , 5N50 , AS2300 , AS2301 , AS2302 , AS2303 , AS2304 , AS2305 , AS2307 , BM2300 .
History: IRFP23N50LPBF | IRFP17N50L | 2SK2258-01 | HY3408 | JMTC58N06B | KRF7506 | JFAM20N50E
History: IRFP23N50LPBF | IRFP17N50L | 2SK2258-01 | HY3408 | JMTC58N06B | KRF7506 | JFAM20N50E



Liste
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MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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