ASDM30P09ZB Todos los transistores

 

ASDM30P09ZB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ASDM30P09ZB
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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ASDM30P09ZB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:418K  ascend
 asdm30p09zb.pdf pdf_icon

ASDM30P09ZB

ASDM30P09ZB-30V P-Channel MOSFETProduct SummaryGeneral Features R

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ASDM30P09ZB

ASDM30P30CTD-30V P-Channel MOSFETFeaturesProduct Summary Low RDS(ON) Fast switchingV -30 V DSS Green Device AvailableR 15 mDS(ON)-Typ.ApplicationI -30 A D MB / VGA / Vcore POL ApplicationsDFN3*3-8 P-MOSFETAbsolute Maximum Ratings (T =25C Unless Otherwise Noted)JSymbol Parameter Rating Unit VDSS Drain-Source Voltage -30 V VGSS Gate-

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 asdm30p30ctd.pdf pdf_icon

ASDM30P09ZB

ASDM30P30CTD-30V P-Channel MOSFETFeaturesProduct Summary Low RDS(ON) Fast switchingV -30 V DSS Green Device AvailableR 15 mDS(ON)-Typ.ApplicationI -30 A D MB / VGA / Vcore POL ApplicationsDFN3*3-8 P-MOSFETAbsolute Maximum Ratings (T =25C Unless Otherwise Noted)JSymbol Parameter Rating Unit VDSS Drain-Source Voltage -30 V VGSS Gate-

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ASDM30P09ZB

ASDM30P11TD-30V P-Channel MOSFETProduct SummaryFeatures Low FOM RDS(on)Qgd 100% avalanche testedV DS -30 V Easy to use/drive RoHS compliantR DS(on),TYP@ VGS=10 V 6.4 mI D -55 AApplication Power Switch Circuit of Adaptor and Charger Battery Protection Charge/Discharge Notebook AC-in Load SwitchPDFN3*3-8Absolute Maximum Ratings TA = 25 u

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History: 2SJ410 | AOND62930

 

 
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