ASDM3400 Todos los transistores

 

ASDM3400 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ASDM3400
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 99 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

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ASDM3400 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1151K  ascend
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ASDM3400
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ASDM340030V N-CHANNEL MOSFETProduct SummaryFEATURES V = 30V, I =5ADS DRDS(ON) RDS(ON)IDVDS RDS(ON)R

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ASDM3400ZB30V N-Channel MOSFETGeneral FeaturesProduct Summary High Power and current handing capabilityVDS 30 V Lead free product is acquiredRDS(on),Typ.@ VGS=10 V 29 m Surface Mount PackageID 5.8AAvailable in SOT23-3 PackageApplications PWM applications Load switch Power managementSOT23-3 Top ViewN-channelAbsolute Maximum Ratings T

 7.1. Size:558K  ascend
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ASDM3401ZB-30V P-CHANNEL MOSFETFEATURES Product Summary High dense cell design for extremely low RDS(ON). Exceptional on-resistance and maximum DC current capability V DS -30 VR DS(on),Max@ VGS=-10 V 65 mApplication I D -4.2 APWM applications Load switch Power management top viewD G S SOT-23 Maximum ratings ( Ta=25 unless otherwise noted)

 7.2. Size:477K  ascend
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ASDM3404ZA30V N-CHANNEL MOSFETProduct SummaryFeatures High Power and current handing capabilityV DS V30 Lead free product is acquired18 R DS(on),Typ@ VGS=10 V m Surface Mount Package6.5I D AAvailable in SOT23 PackageApplications PWM applications Load switch Power managementDDtop viewGG SSSOT23-3 NMOSNOV 2018 Versio

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