CRST055N08N Todos los transistores

 

CRST055N08N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CRST055N08N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 174 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 55 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 38.9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1057 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

 Búsqueda de reemplazo de CRST055N08N MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CRST055N08N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:606K  crhj
 crst055n08n crss052n08n.pdf pdf_icon

CRST055N08N

CRST055N08N, CRSS052N08N() SkyMOS1 N-MOSFET 85V, 4.6m, 120AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 85V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on)4.6m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 120A Qualified according to JEDEC criteriaApplications Motor control and drive100% Avalanche Tested1

 9.1. Size:535K  1
 crst037n10n crss035n10n.pdf pdf_icon

CRST055N08N

CRST037N10N,CRSS035N10N() SkyMOS1 N-MOSFET 100V, 3m, 120AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 100V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ3m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 120A Qualified according to JEDEC criteriaApplications Motor control and drive100% Avalanche Tested

 9.2. Size:568K  crhj
 crst045n10n crss042n10n.pdf pdf_icon

CRST055N08N

CRST045N10N, CRSS042N10N() SkyMOS1 N-MOSFET 100V, 3.6m, 120AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 100V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on)3.6m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 120A Qualified according to JEDEC criteriaApplications Motor control and drive100% Avalanche Tested

 9.3. Size:598K  crhj
 crst065n08n crss063n08n.pdf pdf_icon

CRST055N08N

CRST065N08N, CRSS063N08N() SkyMOS1 N-MOSFET 85V, 5.6m, 80AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 85V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on)5.6m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 80A Qualified according to JEDEC criteriaApplications Motor control and drive100% Avalanche Tested100

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... CRST040N10N , CRSS037N10N , CRST041N08N , CRSS038N08N , CRST045N10N , CRSS042N10N , CRST049N08N , CRSS046N08N , 20N50 , CRSS052N08N , CRST060N10N , CRSS057N10N , CRST065N08N , CRSS063N08N , CRST085N15N , CRSS082N15N , CRTD030N03L .

History: WMP07N60C4 | RCX220N25 | SFP052N80BI3

 

 
Back to Top

 


 
.