SKSS055N08N Todos los transistores

 

SKSS055N08N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SKSS055N08N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 174 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 38.9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1057 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0052 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
     - Selección de transistores por parámetros

 

SKSS055N08N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:601K  crhj
 skd502t skss055n08n.pdf pdf_icon

SKSS055N08N

SKD502T, SKSS055N08NSkyMOS1 N-MOSFET 85V, 4.6m, 120AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 85V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on)4.6m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 120A Qualified according to JEDEC criteriaApplications Motor control and drive100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested100% Avalanche Tes

 9.1. Size:599K  crhj
 skst065n08n skss063n08n.pdf pdf_icon

SKSS055N08N

SKST065N08N, SKSS063N08N() SkyMOS1 N-MOSFET 85V, 5.6m, 105AFeatures Product Summary Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology Wafer Code WCB Extremely low on-resistance RDS(on) VDS 85V Excellent QgxRDS(on) product(FOM) RDS(on)5.6mID Qualified according to JEDEC criteria 105AApplications Motor control and drive100% Avala

 9.2. Size:569K  crhj
 skd503t skss042n10n.pdf pdf_icon

SKSS055N08N

SKD503T, SKSS042N10N() SkyMOS1 N-MOSFET 100V, 3.6m, 120AFeatures Product Summary Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology Extremely low on-resistance RDS(on) VDS 100V Excellent QgxRDS(on) product(FOM) RDS(on)3.6mID Qualified according to JEDEC criteria 120AApplications Motor control and drive100% Avalanche Tested100%

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History: HGN035N08AL | WM02N08L | CP650

 

 
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