SKSS055N08N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SKSS055N08N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 174 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 85 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 120 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 55 nC
Tiempo de subida (tr): 38.9 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1057 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0052 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SKSS055N08N
SKSS055N08N Datasheet (PDF)
skd502t skss055n08n.pdf
SKD502T, SKSS055N08NSkyMOS1 N-MOSFET 85V, 4.6m, 120AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 85V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on)4.6m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 120A Qualified according to JEDEC criteriaApplications Motor control and drive100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested100% Avalanche Tes
skst065n08n skss063n08n.pdf
SKST065N08N, SKSS063N08N() SkyMOS1 N-MOSFET 85V, 5.6m, 105AFeatures Product Summary Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology Wafer Code WCB Extremely low on-resistance RDS(on) VDS 85V Excellent QgxRDS(on) product(FOM) RDS(on)5.6mID Qualified according to JEDEC criteria 105AApplications Motor control and drive100% Avala
skd503t skss042n10n.pdf
SKD503T, SKSS042N10N() SkyMOS1 N-MOSFET 100V, 3.6m, 120AFeatures Product Summary Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology Extremely low on-resistance RDS(on) VDS 100V Excellent QgxRDS(on) product(FOM) RDS(on)3.6mID Qualified according to JEDEC criteria 120AApplications Motor control and drive100% Avalanche Tested100%
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