AS2312 Todos los transistores

 

AS2312 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AS2312
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
     - Selección de transistores por parámetros

 

AS2312 Datasheet (PDF)

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AS2312

AS231 2 N-Channel MOSFET SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS Dimensions In Millimeters Dimensions In InchesSymbolMin Max Min MaxA 0.900 1.150 0.035 0.045A1 0.000 0.100 0.000 0.004A2 0.900 1.050 0.035 0.041b 0.300 0.500 0.012 0.020c 0.080 0.150 0.003 0.006D 2.800 3.000 0.110 0.118E 1.200 1.400 0.047 0.055E1 2.250 2.550 0.089 0.100e 0.

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AS2312

AS2318 N-Channel Enhancement Mode MOSFETProduct Summary V(BR)DSS RDS(on)MAX ID 45m@10V 40V 5A 60m@4.5V Feature Application Advanced trench process technology Load Switch for Portable Devices High density cell design for ultra low on-resistance DC/DC Converter Package Circuit diagram SOT-23 Marking 4005. Document ID Issued Date Revised Date Revision Page. Pa

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AS2312

AS2310 N-Channel Enhancement Mode MOSFETProduct Summary V(BR)DSS RDS(on)MAX ID 100m@10V 60V 3A 120m@4.5V Feature Application High power and current handing capability Battery Switch Lead free product is acquired DC/DC Converter Package Circuit diagram SOT-23 Marking S10. Document ID Issued Date Revised Date Revision Page. Page 1 AS-3150040 2003/03/08 2018

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History: FTK5N80DD | CSD85312Q3E | BUK7616-55A | AP98T03GP-HF

 

 
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