AS2324 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AS2324
   Código: S24
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.8 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 5.8(max) nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 39(max) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 22 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.234 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AS2324

AS2324 Datasheet (PDF)

..1. Size:2726K anbon
as2324.pdf

AS2324 N-Channel MOSFET SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETSFEATURE TrenchFET Power MOSFET SOT-23 Low RDS(ON) Surface Mount Package 1. GATE APPLICATION 2. SOURCE 3. DRAIN DC/DC Converters Load Switch LED Backlighting in LCD TVs MARKING: S24Maximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted) Parameter Symbol Value UnitDrain-Source Voltage VDS 100 VGate-

9.1. Size:1913K anbon
as2328.pdf

AS2328 N-Channel MOSFET SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS Dimensions In Millimeters Dimensions In InchesSymbolMin Max Min MaxA 0.900 1.150 0.035 0.045A1 0.000 0.100 0.000 0.004A2 0.900 1.050 0.035 0.041b 0.300 0.500 0.012 0.020c 0.080 0.150 0.003 0.006D 2.800 3.000 0.110 0.118E 1.200 1.400 0.047 0.055E1 2.250 2.550 0.089 0.100e 0.9

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: