AS3422 Todos los transistores

 

AS3422 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AS3422
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 31 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
     - Selección de transistores por parámetros

 

AS3422 Datasheet (PDF)

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AS3422

AS3422 N-Channel MOSFET SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETSSOT-23 FEATURE TrenchFET Power MOSFET 1. GATE APPLICATIONS 2. SOURCE 3. DRAIN Load Switch for Portable Devices DC/DC Converter MARKING: AR Maximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted) Characteristic Symbol Max Unit Drain-Source VoltageBV 55 VDSS-

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AS3422

P-Channel MOSFET AS3423SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS Dimensions In Millimeters Dimensions In InchesSymbolMin Max Min MaxA 0.900 1.150 0.035 0.045A1 0.000 0.100 0.000 0.004A2 0.900 1.050 0.035 0.041b 0.300 0.500 0.012 0.020c 0.080 0.150 0.003 0.006D 2.800 3.000 0.110 0.118E 1.200 1.400 0.047 0.055E1 2.250 2.550 0.089 0.100e 0.

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AS3422

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AS3422

P-Channel Enhancement Mode MOSFETFormosa MSAS3423BProduct Summary V(BR)DSS RDS(on)MAX ID 90m@-4.5V -20V -3A 110m@-2.5V Feature Application Advanced trench process technology Load Switch for Portable Devices High density cell design for ultra low on-resistance DC/DC Converter Package Circuit diagram SOT-23-3LMarking AS23 http://www.formosagr.com Document ID I

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History: AUIRF2804 | STP55N06L | RFL1N10L | SH8K12 | BUZ358 | RFP12N06RLE | STP33N65M2

 

 
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