AS3423 Todos los transistores

 

AS3423 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AS3423
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 53 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.092 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
     - Selección de transistores por parámetros

 

AS3423 Datasheet (PDF)

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AS3423

P-Channel MOSFET AS3423SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS Dimensions In Millimeters Dimensions In InchesSymbolMin Max Min MaxA 0.900 1.150 0.035 0.045A1 0.000 0.100 0.000 0.004A2 0.900 1.050 0.035 0.041b 0.300 0.500 0.012 0.020c 0.080 0.150 0.003 0.006D 2.800 3.000 0.110 0.118E 1.200 1.400 0.047 0.055E1 2.250 2.550 0.089 0.100e 0.

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AS3423

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AS3423

P-Channel Enhancement Mode MOSFETFormosa MSAS3423BProduct Summary V(BR)DSS RDS(on)MAX ID 90m@-4.5V -20V -3A 110m@-2.5V Feature Application Advanced trench process technology Load Switch for Portable Devices High density cell design for ultra low on-resistance DC/DC Converter Package Circuit diagram SOT-23-3LMarking AS23 http://www.formosagr.com Document ID I

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AS3423

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History: BUZ358 | STP33N65M2 | RFL1N10L | STP55N06L | AUIRF2804

 

 
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