AK10N60S Todos los transistores

 

AK10N60S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AK10N60S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 69 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 166 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-262AB
     - Selección de transistores por parámetros

 

AK10N60S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1903K  anbon
at10n60s af10n60s ak10n60s ag10n60s.pdf pdf_icon

AK10N60S

 8.1. Size:1737K  anbon
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AK10N60S

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: SVSP11N60SD2 | SSF11NS70UF | SML801R2AN | SI4368DY | KMB4D8DN55Q | SML25SCM650N2A | SWK15N04V

 

 
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