AD2N60S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AD2N60S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252AB
Búsqueda de reemplazo de AD2N60S MOSFET
AD2N60S Datasheet (PDF)
Otros transistores... AT12N65S , AF12N65S , AK12N65S , AG12N65S , AT14N15S , AT7N65S , AU10N65S , AU2N60S , SKD502T , AT2N60S , AF2N60S , AK2N60S , AG2N60S , AU4N60S , AD4N60S , AT4N60S , AF4N60S .
History: RFP15N05L | KHB7D5N60F1 | STC2200 | IRLU024ZPBF
History: RFP15N05L | KHB7D5N60F1 | STC2200 | IRLU024ZPBF



Liste
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MOSFET: AP50N20MP | AP50N10P | AP50N10D | AP50N06NF | AP50N06D | AP50N05D | AP50N04D | AP50N03DF | AP50N03D | AP50N03AD | AP50H06NF | AP50G03GD | AP4P05MI | AP4N15MI | AP4N10MI | AP2320MI
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