AK4N60S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AK4N60S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 106 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-262AB
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AK4N60S Datasheet (PDF)
Otros transistores... AT2N60S , AF2N60S , AK2N60S , AG2N60S , AU4N60S , AD4N60S , AT4N60S , AF4N60S , AON7410 , AG4N60S , AU4N65S , AD4N65S , AT4N65S , AF4N65S , AK4N65S , AG4N65S , AU5N60S .
History: IPP60R165CP
History: IPP60R165CP



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