AD8N60S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AD8N60S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 60.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252AB
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AD8N60S Datasheet (PDF)
Otros transistores... AU6N70S , AU7N60S , AD7N60S , AT7N60S , AF7N60S , AK7N60S , AG7N60S , AU8N60S , RU6888R , AT8N60S , AF8N60S , AK8N60S , AG8N60S , 100N10NF , 10N50TF , 11N65GS , 11N65TFS .
History: RFD7N10LESM | 47N60YS | 4N60B | 25N06G | AF8N60S | IRFH5304
History: RFD7N10LESM | 47N60YS | 4N60B | 25N06G | AF8N60S | IRFH5304



Liste
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