EMF20B02V Todos los transistores

 

EMF20B02V MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: EMF20B02V
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 460 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: EDFN3X3
 

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EMF20B02V Datasheet (PDF)

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EMF20B02V

EMF20B02VPChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistorProductSummary:BVDSS20VRDSON(MAX.)20mID8.5APbFreeLeadPlating&HalogenFreeABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(TA=25CUnlessOtherwiseNoted)PARAMETERS/TESTCONDITIONSSYMBOLLIMITSUNITGateSourceVoltageVGS12VTA=25C8.

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EMF20B02V

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EMF20B02V

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDSURFACE MOUNTCHEMF20GPPower Management (Dual Transistor)Tr1:VOLTAGE 50 Volts CURRENT 150 mAmpereDTr2:VOLTAGE 50 Volts CURRENT 30 mAmpereAPPLICATION* Power management circuitFEATURE* Small surface mounting type. (SOT-563)SOT-563* Power switching circuit in a single package.* Mounting cost and area can be cut in half.* Both the 2SC4617 & CHDTC14

 9.2. Size:223K  emc
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EMF20B02V

EMF20A02GDualNChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistorProductSummary:BVDSS20VRDSON(MAX.)20mID6AUIS100%TestedPbFreeLeadPlating&HalogenFreeABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(TA=25CUnlessOtherwiseNoted)PARAMETERS/TESTCONDITIONSSYMBOLLIMITSUNITGateSourceVoltageVGS12VTA

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History: AUIRF3205 | NCE30H15

 

 
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