AP9963GP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AP9963GP
Código: 9963GP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 104 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 80 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 28.5 nC
Tiempo de subida (tr): 65 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 625 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.004 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET AP9963GP
AP9963GP Datasheet (PDF)
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AP9963GS-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 40V Low On-resistance RDS(ON) 4m Fast Switching Characteristic ID 160AG Halogen Free & RoHS Compliant ProductSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination of fast switching, rugg
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AP9963GI-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 40V Low On-resistance RDS(ON) 4m Fast Switching Characteristic ID 70AG Halogen Free & RoHS Compliant ProductSDescriptionThe Advanced Power MOSFETs APEC provide theAdvanced Power MOSFETs fromfrom APEC provide thedesigner w
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