FBM75N68P Todos los transistores

FBM75N68P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FBM75N68P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 115 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 68 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 362 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0078 Ohm

Encapsulados: TO220

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros