C2M065W200 Todos los transistores

 

C2M065W200 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: C2M065W200

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 338 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 36.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 42 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.275 Ohm

Encapsulados: TO-247

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C2M065W200 datasheet

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C2M065W200

nvert Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. C2M065W200 650V N-Channel Silicon Carbide Power MOSFET FEATURES Low On-Resistance Low Capacitance Avalanche Ruggedness Halogen Free, RoHS Compliant BENEFITS Higher System Efficiency Parallel Device Convenience High Temperature Application High Frequency Operation APPLICATIONS Switch Mode Power Suppl

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C2M065W200

nvert Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. C2M065W060 650V N-Channel Silicon Carbide Power MOSFET FEATURES Low On-Resistance Low Capacitance Avalanche Ruggedness Halogen Free, RoHS Compliant BENEFITS Higher System Efficiency Parallel Device Convenience High Temperature Application High Frequency Operation APPLICATIONS Switch Mode Power Suppl

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C2M065W200

nvert Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. C2M065W030 650V N-Channel Silicon Carbide Power MOSFET FEATURES Low On-Resistance Low Capacitance Avalanche Ruggedness Halogen Free, RoHS Compliant BENEFITS Higher System Efficiency Parallel Device Convenience High Temperature Application High Frequency Operation APPLICATIONS Switch Mode Power Suppl

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History: ME45N03T | LSN65R380HT | TK35A65W5 | IRLHS6242PBF | WM03N58M2

 

 

 

 

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